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AOT1606L/AOB1606L
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
+
10V
VDC
-
DUT
VDC + Vds
-
Qgs
Qgd
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
Rg
Vgs
DUT
VDC + Vdd
-
90%
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Rg
Vds
Id
Vgs
L
Vgs
VDC + Vdd
-
Vds
Id
2
E AR = 1/2 LI AR
BV DSS
I AR
DUT
Vgs
Vds +
DUT
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
Isd
Vds
I F
dI/dt
I RM
t rr
Vdd
Rev0: May 2011
www.aosmd.com
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AOT16N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 16A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOT1N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOT20B65M1 功能描述:IGBT 650V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，20A 功率 - 最大值:227W 开关能量:470μJ（开），270μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:46nC 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns 测试条件:400V，20A，15 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:322ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000
AOT20C60 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device
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AOT20C60PL 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3607pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000
AOT20N25 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:250V,20A N-Channel MOSFET